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[天龙八部私服最新开服表]微软参加新一代DRAM集体HMCC的理由

摘要: 2012年5月8日,推动使用TSV(硅通孔 的三维层叠型新一代DRAM“Hybrid Memory Cube(HMC ”遍及的H...

  2012年5月8日,推动使用TSV(硅通孔)的三维层叠型新一代DRAM“Hybrid Memory Cube(HMC)”遍及的Hybrid Memory Cube Consortium(HMCC)宣告,软件职业巨子美国微软已加盟该协会。

  HMC是选用三维结构,在逻辑芯片上沿笔直方向叠加多个DRAM芯片,然后经过TSV衔接布线的技能。HMC的最大特征是与既有的DRAM比较,功用可以得到极大的提高。提高的原因有二,一是芯片间的布线间隔可以从半导体封装平摊在主板上的传统办法的“cm”单位大幅缩小到数十μm~1mm;二是一枚芯片上可以构成1000~数万个TSV,完成芯片间的多点衔接。

  微软之所以参加HMCC,是因为正在考虑怎么对应很可能会成为个人电脑和计算机功用提高的“内存瓶颈”问题。内存瓶颈是指跟着微处理器的功用经过多核化不断提高,现行架构的DRAM的功用将无法满意处理器的需求。假如不处理这个问题,就会产生即便购买计算机新产品,实践功用也得不到相应提高的状况。与之比较,假如把根据TSV的HMC应用于计算机的主存储器,数据传输速度就可以提高到现行DRAM的约15倍,因而,不仅仅微软,微处理器巨子美国英特尔等公司也在活跃研讨选用HMC。

  其实,方案选用TSV的并不仅仅HMC等DRAM产品。依照半导体厂商的方案,在往后数年间,从承当电子设备输入功用的CMOS传感器到担任运算的FPGA和多核处理器,以及掌管产品存储的DRAM和NAND闪存都将相继导入TSV。假如方案按期进行,TSV将担负起输入、运算、存储等电子设备的主要功用。

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